Производственный цикл сосредоточен на промплощадке в г.Ужгород. В 2-х этажном здании (площадь более 2000 кв.м.) имеется:
- Участок подготовки сырья
- цех ростовых установок «Омега»
- Участок механической обработки монокристаллов
- Лаборатория контроля с установкой «Дрон-2»
- Склад готовой продукции
- Участок металлоподготовки технологического процесса
Энергообеспечение производится от собственной трансформаторной подстанции на 1000 кВт. Для нужд производства оборудован двойной замкнутый цикл очистки и охлаждения технической воды с помощью градирни и резервной емкости.
Для основного производственного процесса имеется:
- ростовые установки «Омега» - 7ед.
- станки переработки и порезки: «Алмаз - 6» отрезные, плоскошлифовальные, круглошлифовальные - всего 6 ед.
- система контроля „Дрон-2” - 1 ед.
Производственный процесс обеспечивает участок металлоподготовки, который оборудован всем необходимым для изготовления вольфрамовых нагревателей, молибденовых экранов, систем температурной защиты и т.д.
Продукция, выпускаемая ЗАО «Технокристалл» отличается простотой метода производства, высоким качеством производимого материала и низкой его себестоимостью.
Все производственные циклы, технологии выращивания искусственного(синтетического) корунда, обработки полученного материала и утилизации отходов переработки защищены патентами, авторскими свидетельствами и соглашениями на использование дополнительных методик.
Выращивание искусственного(синтетического) корунда методом Киропулоса
В качестве сырья используется химически чистый порошок оксида алюминия. Уникальная технология предварительной подготовки сырья, позволяет выращивать искусственный корунд с содержанием чистого оксида алюминия 99,997%. Весь процесс выращивания кристалла искусственного корунда весом 12 кг занимает 14 дней и поддерживается автоматической системой контроля.
Исходный материал помещается в установку, создающую оптимальные условия для выращивания кристаллов искусственного корунда. Сущность усовершенствованного метода Киропулоса состоит в том, что кристалл искусственного корунда как бы прорастает вглубь расплава и приобретает в процессе кристаллизации цилиндрическую форму за счет образования усадочной раковины. Возникновение усадочной раковины объясняется разностью плотностей жидкого и твердого сапфира (3 и 4 г/смЗ соответственно).
Поддержание необходимого диаметра кристалла осуществляется за счет автоматического перемещения затравочного кристалла (без вращения). Тигель во время процесса неподвижен. Скорость вытягивания кристалла значительно ниже скорости кристаллизации. В результате в расплаве находится не весь кристалл, а только небольшой слой, прилегающий к растущей поверхности. Температурный градиент, обеспечивающий рост кристалла, обеспечивается конструкцией теплового узла, придающей форме фронта кристаллизации клиновидную форму.
Получение расплава в тигле осуществляется путем резистивного нагрева. Снижение мощности на нагревателе осуществляется с использованием прецизионной системы регулировки мощности.
Охлаждение кристалла происходит практически в той же зоне роста внутри тигля. Такой способ позволяет выращивать кристаллы с минимальными механическими напряжениями.
